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    BARRETTE MEMOIRE SODIMM DDR4 4GB 2666V SAMSUNG
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    BARRETTE MEMOIRE SODIMM DDR4 4GB 2666V SAMSUNG

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    Reference: SAMSUNG4GB 2666V

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    Barrette mémoire Samsung DDR4 SODIMM - Capacité 4 Go - 260 Pins - Fréquence 2666 MHz - Tension 1.2 Volts

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    Barrette mémoire Samsung DDR4 SODIMM - Capacité 4 Go - 260 Pins - Fréquence 2666 MHz - Tension 1.2 Volts

    SAMSUNG4GB 2666V

    Fiche technique

    GTIN
    SAMSUNG4GB 2666V
    Disponibilité
    En stock
    Types de mémoire
    DDR4
    Taille de la mémoire
    4 Go
    Fréquence de la mémoire
    2666 MHz

    Références spécifiques

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    BARRETTE MEMOIRE SODIMM DDR4 4GB 2666V SAMSUNG
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