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BARRETTE MEMOIRE SODIMM DDR4 4GB 2666V SAMSUNG
Reference: SAMSUNG4GB 2666V
0,000 TND
Barrette mémoire Samsung DDR4 SODIMM - Capacité 4 Go - 260 Pins - Fréquence 2666 MHz - Tension 1.2 Volts
Politique de sécurité(edit with the Customer Reassurance module)
Politique de livraison(edit with the Customer Reassurance module)
Politique de retour(edit with the Customer Reassurance module)
Barrette mémoire Samsung DDR4 SODIMM - Capacité 4 Go - 260 Pins - Fréquence 2666 MHz - Tension 1.2 Volts
SAMSUNG4GB 2666V
Fiche technique
- GTIN
- SAMSUNG4GB 2666V
- Disponibilité
- En stock
- Types de mémoire
- DDR4
- Taille de la mémoire
- 4 Go
- Fréquence de la mémoire
- 2666 MHz
Références spécifiques
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Barrette mémoire Samsung DDR4 SODIMM - Capacité 4 Go - 260 Pins - Fréquence 2666 MHz - Tension 1.2 Volts
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